1.     微机电器件MEMS1       
该器件图像

该器件表面白光干涉图

 
 
 
 

白光干涉条纹弯曲, 说明其表面弯曲.
测试得PV=0.088 wave
粗糙度RMS=0.78nm
 
2.      微机电器件MEMS2      

白光干涉条纹比MEMS1更为弯曲。
测试得PV=0.236 wave   
粗糙度RMS=1.62nm
    
3. 微机电器件MEMS3

        
测试得PV=0.119 wave
粗糙度RMS=0.9nm
 
4．某大学Chip 1           
该器件图像

 
该器件表面白光干涉图

测试得PV=0.05 wave   
粗糙度RMS=1.75nm
 
 
 
 
5. 某大学Chip 2                  

表面白光干涉条纹没有明显弯曲.
 粗糙度RMS=1.65nm
 
6. Huawei 8e手机表面
该器件图像

该器件表面白光干涉图

测试得PV=0.309 wave   
粗糙度RMS=1.45 nm
 
 
7.  Apple 4手机表面               
 该器件图像

 
该器件表面白光干涉图

测试得PV=0.07 wave    
粗糙度RMS=1.04nm
 
 
 8. OPPO 1100 手机表面         
该器件图像

 
 
该器件表面白光干涉图

测试得PV=0.08 wave
粗糙度RMS=1.48nm
 
9. 微机电器件MEMS2表面不平度比较明显, 对该部位恢复其表面

 
3D形貌及横截SAG图
 

 
10．Huawei 8e手机表面不平度也比较明显, 对该部位恢复其表面
 3D形貌及横截SAG图